transistor de canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

transistor de canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.39€
5-49
2.00€
50-99
1.70€
100-199
1.44€
200+
1.10€
Cantidad en inventario: 2247

Transistor de canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.105 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3980pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. Diodo Trr (Mín.): 34-51 ns. Equivalentes: IRLR3110ZPbF. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 250A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: ±16. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

IRLR3110ZPBF
32 parámetros
DI (T=100°C)
45A
DI (T=25°C)
42A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.105 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
100V
C(pulg)
3980pF
Cantidad por caja
1
Costo)
170pF
Diodo Trr (Mín.)
34-51 ns
Equivalentes
IRLR3110ZPbF
Función
Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
250A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
79W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(apagado)
30 ns
Td(encendido)
7.2 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
±16
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier