Transistor de canal N IRLR3110ZTRPBF, DPAK. Vivienda: DPAK. Corriente de drenaje: 63A. Embalaje: bobina. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 140W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 06:37