transistor de canal N IRLR3410TRPBF, D-PAK, TO-252, 100V

transistor de canal N IRLR3410TRPBF, D-PAK, TO-252, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-99
2.67€
100+
1.98€
Cantidad en inventario: 2429

Transistor de canal N IRLR3410TRPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 97W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 17A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: LR3410. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.2 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
IRLR3410TRPBF
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
100V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
800pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
97W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.105 Ohms @ 10A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
17A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
LR3410
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
30 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
7.2 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier