transistor de canal N IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

transistor de canal N IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.70€
5-24
1.49€
25-74
1.30€
75-149
1.18€
150+
1.02€
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Cantidad en inventario: 132

Transistor de canal N IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.5m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2900pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 420pF. Diodo Trr (Mín.): 21ms. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 360A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(apagado): 33 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLR3705ZPBF
31 parámetros
DI (T=100°C)
63A
DI (T=25°C)
89A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
6.5m Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
2900pF
Cantidad por caja
1
Costo)
420pF
Diodo Trr (Mín.)
21ms
Función
control de puerta por nivel lógico
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
360A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
130W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(apagado)
33 ns
Td(encendido)
17 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
International Rectifier