transistor de canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

transistor de canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-1
1.22€
2-4
1.22€
5-49
1.01€
50-99
0.86€
100+
0.72€
Cantidad en inventario: 24

Transistor de canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.3m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1030pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 350pF. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Función: Muy baja RDS en resistencia a 4.5V VGS. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 260A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Impedancia de puerta ultrabaja. Td(apagado): 9.4 ns. Td(encendido): 8.8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLR8721
31 parámetros
DI (T=100°C)
46A
DI (T=25°C)
65A
Idss (máx.)
150uA
Resistencia en encendido Rds activado
6.3m Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
1030pF
Cantidad por caja
1
Costo)
350pF
Diodo Trr (Mín.)
17 ns
Función
Muy baja RDS en resistencia a 4.5V VGS
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
260A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
65W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
Impedancia de puerta ultrabaja
Td(apagado)
9.4 ns
Td(encendido)
8.8 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.35V
Vgs(th) mín.
1.35V
Producto original del fabricante
International Rectifier