Transistor de canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2150pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 480pF. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Función: Muy baja RDS en resistencia a 4.5V VGS. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 340A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Impedancia de puerta ultrabaja. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38