transistor de canal N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

transistor de canal N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.17€
5-24
1.86€
25-49
1.67€
50-99
1.54€
100+
1.37€
Cantidad en inventario: 66

Transistor de canal N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4880pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 950pF. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 640A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 135W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
IRLR8743
30 parámetros
DI (T=100°C)
113A
DI (T=25°C)
160A
Idss (máx.)
150uA
Resistencia en encendido Rds activado
2.4M Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
4880pF
Cantidad por caja
1
Costo)
950pF
Diodo Trr (Mín.)
18 ns
Función
control de puerta por nivel lógico
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
640A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
135W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
21 ns
Td(encendido)
19 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.35V
Vgs(th) mín.
1.35V
Producto original del fabricante
International Rectifier