Transistor de canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 480pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 130pF. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 47W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 7.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38