Transistor de canal N IRLZ24NPBF, TO220AB, 55V, 55V. Vivienda: TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Acondicionamiento: tubus. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 480pF. Características: -. Cargar: 10nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 18A. Disipación máxima Ptot [W]: 45W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 18A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 18A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRLZ24NPBF. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Polaridad: unipolares. Potencia: 45W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Resistencia térmica de alojamiento: 3.3K/W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. RoHS: no. Serie: HEXFET. Tecnología: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.1 ns. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06