Transistor de canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 880pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 16.7nC. Corriente de drenaje: 27A. Costo): 220pF. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 110A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Polaridad: unipolares. Potencia: 56W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 2.7K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38