Transistor de canal N IRLZ34NPBF, 55V, 0.035 Ohms, 55V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 880pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Control: Nivel lógico. Corriente máxima de drenaje: 30A. Disipación máxima Ptot [W]: 68W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 30A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRLZ34NPBF. Número de terminales: 3. Potencia: 68W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.9 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06