transistor de canal N IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms
Cantidad
Precio unitario
1-4
2.39€
5-9
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10-19
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50+
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Transistor de canal N IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.022 Ohms. Acondicionamiento: tubus. Cargar: 32nC. Control: Nivel lógico. Corriente de drenaje: 41A. Corriente máxima de drenaje: 41A. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 83W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. Resistencia térmica de alojamiento: 1.8K/W. RoHS: no. Tecnología: HEXFET®. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 16V, ±16V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 02/01/2026, 03:26
IRLZ44NPBF
20 parámetros
Vivienda
TO-220AB
Tensión drenaje-fuente (Vds)
55V
Resistencia en encendido Rds activado
0.022 Ohms
Acondicionamiento
tubus
Cargar
32nC
Control
Nivel lógico
Corriente de drenaje
41A
Corriente máxima de drenaje
41A
Montaje/instalación
THT
Polaridad
unipolares
Potencia
83W
Propiedades del semiconductor
Nivel lógico
Resistencia térmica de alojamiento
1.8K/W
RoHS
no
Tecnología
HEXFET®
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Voltaje de fuente de drenaje
55V
Voltaje de fuente de puerta
16V, ±16V
Producto original del fabricante
Infineon (irf)