Transistor de canal N IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 6600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 640pF. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 300A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11