Transistor de canal N IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 4700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 580pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 104A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11