Transistor de canal N IXFK34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.24 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 7500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 920pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Función: -. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 136A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 560W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38