transistor de canal N IXFK44N50, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V

transistor de canal N IXFK44N50, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
27.39€
5-9
26.33€
10-24
24.07€
25+
22.51€
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Transistor de canal N IXFK44N50, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 8400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 900pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Función: F-Class--MHz Switching. IDss (mín.): 400uA. Identificación (diablillo): 176A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 500W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11

Documentación técnica (PDF)
IXFK44N50
31 parámetros
DI (T=25°C)
44A
Idss (máx.)
2mA
Resistencia en encendido Rds activado
0.12 Ohms
Vivienda
TO-264 ( TOP-3L )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-264AA
Voltaje Vds(máx.)
500V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
8400pF
Cantidad por caja
1
Costo)
900pF
Diodo Trr (Mín.)
250 ns
Función
F-Class--MHz Switching
IDss (mín.)
400uA
Identificación (diablillo)
176A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
500W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(apagado)
100 ns
Td(encendido)
30 ns
Tecnología
HiPerFet Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
25
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
IXYS

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