Transistor de canal N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1.5mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.19 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 12pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 12000pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 910pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 1200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 44A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Enhancement Mode, Avalanche Rated. IDss (mín.): 50uA. Identificación (diablillo): 100A. Marcado del fabricante: IXFK44N80P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11