Transistor de canal N IXFK64N50P, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264AA, 500V. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 85m Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 7900pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 9700pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 790pF. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 830W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 32A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 64A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 150A. Marcado del fabricante: IXFK64N50P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 830W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 85 ns. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 20V/ns. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11