Transistor de canal N IXFK64N60P, TO-264AA, 600V. Vivienda: TO-264AA. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 12000pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 1040W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 64A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IXFK64N60P. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 79 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:06