Transistor de canal N IXFN520N075T2, SOT-227B (ISOTOP), 75V. Vivienda: SOT-227B (ISOTOP). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 41000pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 940W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 480A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: GigaMOS. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 80 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 48 ns. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25