transistor de canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

transistor de canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
16.16€
5-9
14.39€
10-14
13.30€
15-29
12.61€
30+
11.63€
Cantidad en inventario: 9

Transistor de canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. DI (T=25°C): 105A. Idss (máx.): 2uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17m Ohms. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 9100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2200pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Función: Superficie posterior aislada eléctricamente. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 480A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 400W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11

Documentación técnica (PDF)
IXFR120N20P
33 parámetros
DI (T=25°C)
105A
Idss (máx.)
2uA
Resistencia en encendido Rds activado
17m Ohms
Vivienda
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Vivienda (según ficha técnica)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Voltaje Vds(máx.)
200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
9100pF
Cantidad por caja
1
Costo)
2200pF
Diodo Trr (Mín.)
250 ns
Función
Superficie posterior aislada eléctricamente
IDss (mín.)
100uA
Identificación (diablillo)
480A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
400W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(apagado)
110 ns
Td(encendido)
40 ns
Tecnología
Polar HiPerFet Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
30
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
IXYS