transistor de canal N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

transistor de canal N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

Cantidad
Precio unitario
1-4
28.75€
5-9
26.87€
10-19
25.37€
20-29
24.16€
30+
22.33€
Cantidad en inventario: 10

Transistor de canal N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 1.5mA. Resistencia en encendido Rds activado: 13m Ohms. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247. Voltaje Vds(máx.): 150V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 7000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2250pF. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Función: Superficie posterior aislada eléctricamente. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 380A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11

Documentación técnica (PDF)
IXFR180N15P
34 parámetros
DI (T=100°C)
75A
DI (T=25°C)
100A
Idss (máx.)
1.5mA
Resistencia en encendido Rds activado
13m Ohms
Vivienda
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Vivienda (según ficha técnica)
ISOPLUS247
Voltaje Vds(máx.)
150V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
7000pF
Cantidad por caja
1
Costo)
2250pF
Diodo Trr (Mín.)
200 ns
Función
Superficie posterior aislada eléctricamente
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
380A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
300W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(apagado)
150 ns
Td(encendido)
30 ns
Tecnología
Polar HiPerFet Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
30
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
2.5V
Producto original del fabricante
IXYS