Transistor de canal N IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 133A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 7600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2900pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Función: Superficie posterior aislada eléctricamente. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 400A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11