transistor de canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

transistor de canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
13.36€
5-24
12.37€
25-49
10.84€
50+
10.04€
Cantidad en inventario: 34

Transistor de canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AD ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1500pF. Corriente del colector: 48A. Costo): 170pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Diodo de germanio: no. Función: HiPerFAST IGBT with Diode. Ic (pulso): 80A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: transistor HiPerFAST IGBT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 15 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 19:59

Documentación técnica (PDF)
IXGH24N60CD1
26 parámetros
Ic(T=100°C)
24A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247 ( AD )
Tensión colector/emisor Vceo
600V
C(pulg)
1500pF
Corriente del colector
48A
Costo)
170pF
Diodo CE
Diodo Trr (Mín.)
130 ns
Diodo de germanio
no
Función
HiPerFAST IGBT with Diode
Ic (pulso)
80A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
transistor HiPerFAST IGBT
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
150W
Td(apagado)
75 ns
Td(encendido)
15 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2.1V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
2.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
2.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
5.5V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
IXYS