transistor de canal N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

transistor de canal N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
20.40€
5-9
19.43€
10-24
17.24€
25+
15.98€
Cantidad en inventario: 23

Transistor de canal N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2700pF. Corriente del colector: 60A. Costo): 270pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Diodo de germanio: -. Función: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Ic (pulso): 60.4k Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 19:59

Documentación técnica (PDF)
IXGH32N60BU1
24 parámetros
Ic(T=100°C)
32A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT
Tensión colector/emisor Vceo
600V
C(pulg)
2700pF
Corriente del colector
60A
Costo)
270pF
Diodo CE
Diodo Trr (Mín.)
120ns
Función
Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed)
Ic (pulso)
60.4k Ohms
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
200W
RoHS
Td(apagado)
100 ns
Td(encendido)
25 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2.3V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
2.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
5V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
IXYS