Transistor de canal N IXTA36N30P, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.092 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263AB ). Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 370pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Función: N-Channel Enhancement Mode. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 90A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHTTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11