Transistor de canal N IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 96A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 24m Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1020pF. Diodo Trr (Mín.): 160 ns. Función: N-Channel Enhancement Mode. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 225A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11