Transistor de canal N IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2770pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 420pF. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Función: N-Channel Enhancement Mode. IDss (mín.): 2uA. Identificación (diablillo): 240A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: TrenchT2TM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11