Transistor de canal N IXTQ36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 92m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 370pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Función: N-Channel Enhancement Mode. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 90A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11