transistor de canal N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V

transistor de canal N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.31€
5-49
0.26€
50-99
0.23€
100-199
0.21€
200+
0.18€
+1124 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Cantidad en inventario: 197

Transistor de canal N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V. Vivienda: TO-92. Resistencia en encendido Rds activado: 8 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 160pF. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima de drenaje: 0.1A. Costo): 35pF. IDss (mín.): 100mA. IGF: 50mA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Td(apagado): 5 ns. Td(encendido): 6 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 0.7V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.5V. Producto original del fabricante: Siliconix. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 21:11

Documentación técnica (PDF)
J107
25 parámetros
Vivienda
TO-92
Resistencia en encendido Rds activado
8 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Voltaje Vds(máx.)
25V
C(pulg)
160pF
Cantidad por caja
1
Corriente máxima de drenaje
0.1A
Costo)
35pF
IDss (mín.)
100mA
IGF
50mA
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
350mW
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
no
RoHS
Td(apagado)
5 ns
Td(encendido)
6 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
0.7V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
JFET
Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.
4.5V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
0.5V
Producto original del fabricante
Siliconix