Transistor de canal N MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Corriente del colector: 100A. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: 60T65PES. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 535W. RoHS: sí. Td(apagado): 142ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: Magnachip Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35