Transistor de canal N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1650pF. Costo): 180pF. Diodo Trr (Mín.): 355 ns. Función: SMPS, conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 48A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 49.6W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(apagado): 132 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Magnachip Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30