Transistor de canal N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 780pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 272 ns. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 28 nC, Crss bajo 24 pF. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 36A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: +55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Magnachip Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30