Transistor de canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: 6Z. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:45