transistor de canal N MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA
Cantidad
Precio unitario
1-99
0.53€
100-499
0.32€
500-999
0.25€
1000+
0.24€
| Cantidad en inventario: 2410 |
Transistor de canal N MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Familia de componentes: Transistor JFET de canal N. Marcado del fabricante: 6K. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:06
MMBF4392LT1G
12 parámetros
Vivienda
SOT-23
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
30 v
Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V
25mA
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.225W
Familia de componentes
Transistor JFET de canal N
Marcado del fabricante
6K
Número de terminales
3
RoHS
sí
Temperatura máxima
+150°C.
Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V
-2V @ +15V
Producto original del fabricante
Onsemi