transistor de canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

transistor de canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.62€
5-9
4.14€
10-24
3.83€
25-49
3.61€
50+
3.27€
Cantidad en inventario: 34

Transistor de canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6.95A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 890pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 670pF. Diodo Trr (Mín.): 375 ns. Función: Etapas de fuente de alimentación PFC, aplicaciones de conmutación, control de motores, convertidores CC/CC. Identificación (diablillo): 33A. Marcado en la caja: 60R360P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: N-channel POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Magnachip Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37

Documentación técnica (PDF)
MMF60R360PTH
30 parámetros
DI (T=100°C)
6.95A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
1uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.32 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220F
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
890pF
Cantidad por caja
1
Costo)
670pF
Diodo Trr (Mín.)
375 ns
Función
Etapas de fuente de alimentación PFC, aplicaciones de conmutación, control de motores, convertidores CC/CC
Identificación (diablillo)
33A
Marcado en la caja
60R360P
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
31W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
80 ns
Td(encendido)
18 ns
Tecnología
N-channel POWER MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Magnachip Semiconductor