transistor de canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

transistor de canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.45€
5-24
1.20€
25-49
1.03€
50+
0.95€
Cantidad en inventario: 16

Transistor de canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 410pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 114pF. Diodo Trr (Mín.): 55.7 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 45A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Transistor controlado por nivel lógico. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
MTP3055VL
33 parámetros
DI (T=100°C)
8A
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.10 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
60V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
410pF
Cantidad por caja
1
Costo)
114pF
Diodo Trr (Mín.)
55.7 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
45A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
48W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
Transistor controlado por nivel lógico
Td(apagado)
14 ns
Td(encendido)
9 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
15V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor