Transistor de canal N NDP603AL, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tecnología: Field Effect Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: National Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27