Transistor de canal N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.1m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): MP-25ZP. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 6400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 465pF. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 328A. Marcado en la caja: 82N055. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 142W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: transistor MOSFET. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura: +175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 900. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:29