transistor de canal N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.72€
5-24
1.50€
25-49
1.32€
50-99
1.17€
100+
0.98€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 85

Transistor de canal N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.039 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 707pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 224pF. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 60A. Marcado en la caja: 20N6LG. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 9.6 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:29

Documentación técnica (PDF)
NTD20N06L
31 parámetros
DI (T=100°C)
10A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.039 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
707pF
Cantidad por caja
1
Costo)
224pF
Diodo Trr (Mín.)
42 ns
Función
Nivel lógico
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
60A
Marcado en la caja
20N6LG
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
60W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
IDM--60A pulse/10uS
Td(apagado)
25 ns
Td(encendido)
9.6 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
15V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor

Productos y/o accesorios equivalentes para NTD20N06L