Transistor de canal N NTD3055L104G, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.089 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 316pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 440pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 105pF. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 12A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: nivel lógico, pulso ID 45A/10us. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 45A. Marcado del fabricante: 55L104G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 55L104G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 9.2 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:29