transistor de canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V

transistor de canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V

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Precio unitario
1-99
1.85€
100+
1.44€
Cantidad en inventario: 807

Transistor de canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V. Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 440pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 12A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: 55L104G. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22

Documentación técnica (PDF)
NTD3055L104T4G
17 parámetros
Vivienda
D-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-252
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
60V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
440pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
48W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.104 Ohms @ 6A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
12A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
55L104G
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
40 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
20 ns
Producto original del fabricante
Onsemi