transistor de canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

transistor de canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.85€
5-24
1.61€
25-49
1.45€
50-99
1.34€
100+
1.18€
Cantidad en inventario: 32

Transistor de canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 96A. DI (T=25°C): 124A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.4M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4490pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 952pF. Diodo Trr (Mín.): 34 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 230A. Marcado en la caja: 4804NG. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 4804NG. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 107W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 230A. Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
NTD4804NT4G
32 parámetros
DI (T=100°C)
96A
DI (T=25°C)
124A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
3.4M Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
4490pF
Cantidad por caja
1
Costo)
952pF
Diodo Trr (Mín.)
34 ns
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
230A
Marcado en la caja
4804NG
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD 4804NG
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
107W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
ID pulse 230A
Td(apagado)
24 ns
Td(encendido)
18 ns
Tecnología
Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1.5V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor