transistor de canal N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V

transistor de canal N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.12€
5-49
3.84€
50-99
3.34€
100+
3.20€
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Transistor de canal N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): TSOP-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 510pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 200pF. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Función: Aplicaciones de baterías de iones de litio, PC portátil. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: 446. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vgs(th) mín.: 0.6V. Producto original del fabricante: --. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
NTGS3446
31 parámetros
DI (T=25°C)
5.1A
Idss (máx.)
25uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.036 Ohms
Vivienda
TSOP
Vivienda (según ficha técnica)
TSOP-6
Voltaje Vds(máx.)
20V
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
510pF
Cantidad por caja
1
Costo)
200pF
Diodo Trr (Mín.)
20 ns
Función
Aplicaciones de baterías de iones de litio, PC portátil
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
20A
Marcado en la caja
446
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
6
Pd (disipación de potencia, máx.)
2W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
control de puerta por nivel lógico
Td(apagado)
35 ns
Td(encendido)
9 ns
Tecnología
Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
12V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
3000
Vgs(th) mín.
0.6V