transistor de canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

transistor de canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

Cantidad
Precio unitario
1-4
51.59€
5-9
48.52€
10-14
46.64€
15-29
45.24€
30+
42.64€
Cantidad en inventario: 6

Transistor de canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 118A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 4416pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 296pF. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Función: UPS, convertidor CC/CC, inversor elevador. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 472A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 503W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 19V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
NTHL020N090SC1
30 parámetros
DI (T=100°C)
83A
DI (T=25°C)
118A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.02 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247-3L, CASE 340CX
Voltaje Vds(máx.)
900V
C(pulg)
4416pF
Cantidad por caja
1
Costo)
296pF
Diodo Trr (Mín.)
28 ns
Función
UPS, convertidor CC/CC, inversor elevador
IDss (mín.)
100uA
Identificación (diablillo)
472A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
503W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Spec info
IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm
Td(apagado)
55 ns
Td(encendido)
40 ns
Tecnología
MOSFET – SiC Power, Single N-Channel
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
19V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor