Transistor de canal N NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. DI (T=100°C): 138A. DI (T=25°C): 191A. Idss (máx.): 191A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3M Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8FL. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Función: ID pulse 288A/10ms. Identificación (diablillo): 288A. Marcado en la caja: 4833N. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 4833N. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 114W. Tecnología: Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30