Transistor de canal N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 790pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 175pF. Diodo Trr (Mín.): 15.5 ns. Función: Mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 40A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Td(apagado): 11.8 ns. Td(encendido): 2.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Niko-semi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30