transistor de canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

transistor de canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.47€
5-49
1.22€
50-99
1.03€
100+
0.93€
Cantidad en inventario: 363

Transistor de canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 75A. Resistencia en encendido Rds activado: 5M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 5000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1800pF. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 170A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Niko-semi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
P75N02LD
26 parámetros
DI (T=100°C)
50A
DI (T=25°C)
75A
Idss
25uA
Idss (máx.)
75A
Resistencia en encendido Rds activado
5M Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( D-PAK )
Voltaje Vds(máx.)
20V
C(pulg)
5000pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1800pF
Diodo Trr (Mín.)
37 ns
Función
Modo de mejora del nivel lógico
Identificación (diablillo)
170A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
60W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
24 ns
Td(encendido)
7 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Niko-semi