Transistor de canal N PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-404. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 920pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 260pF. Diodo Trr (Mín.): 52 ns. Función: Transistor de potencia de efecto de campo, Control de nivel lógico. IDss (mín.): 0.05uA. Identificación (diablillo): 180A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 86W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 78 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: TrenchMOS transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30