Transistor de canal N PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. DI (T=100°C): 60.8A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 4900pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 390pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 0.05uA. Identificación (diablillo): 240A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30